在Apreo 2 SEM掃描電鏡的應用中，電子通道效應是一項重要的物理現(xiàn)象，它的發(fā)現(xiàn)進一步擴大了掃描電鏡在材料科學和金屬物理中的應用。對電子與晶體相互作用的研究中，入射電子被晶體的散射幾率同它相對于某個晶面(hkl)的入射角密切相關(guān)。
 

　　對同一晶面而言，在某些入射方向，電子被散射的幾率較大(相當于禁道)，而在另一些入射方向，電子被散射的幾率較小(相當于通道)，這種現(xiàn)象稱為電子通道效應。
 

　　影響Apreo 2 SEM掃描電鏡的幾個因素
 

　　1、放大倍數(shù)
 

　　掃描電鏡的放大倍數(shù)可表示為M=Ac/As式中，Ac—熒光屏上圖像的邊長；As—電子束在樣品上的掃描振幅。一般地，Ac是固定的(通常為100 mm)，則可通過改變As來改變放大倍數(shù)。
 

　　目前，大多數(shù)商品掃描電鏡放大倍數(shù)為20～20,000倍，介于光學顯微鏡和透射電鏡之間，即掃描電鏡彌補了光學顯微鏡和透射電鏡放大倍數(shù)的空擋
 

　　2、景深
 

　　景深是指焦點前后的一個距離范圍，該范圍內(nèi)所有物點所成的圖像符合分辨率要求，可以成清晰的圖像；也即，景深是可以被看清的距離范圍。
 

　　掃描電子顯微鏡的景深比透射電子顯微鏡大10倍，比光學顯微鏡大幾百倍。由于圖像景深大，所得掃描電子像富有立體感。電子束的景深取決于臨界分辨本領d0和電子束入射半角αc。其中，臨界分辨本領與放大倍數(shù)有關(guān)，因人眼的分辨本領約為0.2 mm,放大后，要使人感覺物像清晰，必須使電子束的分辨率高于臨界分辨率d0：電子束的入射角可通過改變光闌尺寸和工作距離來調(diào)整，用小尺寸的光闌和大的工作距離可獲得小的入射電子角。
 

　　3、襯度
 

　　襯度包括：表面形貌襯度和原子序數(shù)襯度。
 

　　表面形貌襯度由試樣表面的不平整性引起。
 

　　原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時產(chǎn)生的背散射電子、吸收電子、X射線，對微區(qū)內(nèi)原子序數(shù)的差異相當敏感。原子序數(shù)越大，圖像越亮。二次電子受原子序數(shù)的影響較小。高分子中各組分之間的平均原子序數(shù)差別不大；所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像。
 

　　4、分辨率
 

　　影響掃描電鏡的分辨本領的主要因素有：
 

　　A.入射電子束束斑直徑：為掃描電鏡分辨本領的極限。一般，熱陰極電子槍的最小束斑直徑可縮小到6nm，場發(fā)射電子槍可使束斑直徑小于3nm。
 

　　B.入射電子束在樣品中的擴展效應：擴散程度取決于入射束電子能量和樣品原子序數(shù)的高低。入射束能量越高，樣品原子序數(shù)越小，則電子束作用體積越大，產(chǎn)生信號的區(qū)域隨電子束的擴散而增大，從而降低了分辨率。
 

　　C.成像方式及所用的調(diào)制信號：當以二次電子為調(diào)制信號時，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短(10~100 nm左右)，只有在表層50～100 nm的深度范圍內(nèi)的二次電子才能逸出樣品表面，發(fā)生散射次數(shù)很有限，基本未向側(cè)向擴展，因此，二次電子像分辨率約等于束斑直徑。
 

　　當以背散射電子為調(diào)制信號時，由于背散射電子能量比較高，穿透能力強，可從樣品中較深的區(qū)域逸出(約為有效作用深度的30%左右)。在此深度范圍，入射電子已有了相當寬的側(cè)向擴展，所以背散射電子像分辨率要比二次電子像低，一般在500～2000nm左右。
 

　　如果以吸收電子、X射線、陰極熒光、束感生電導或電位等作為調(diào)制信號的其他操作方式，由于信號來自整個電子束散射區(qū)域，所得掃描像的分辨率都比較低，一般在l000 nm或l0000nm以上不等。